1.基本信息日本萝莉 porn
北京航空航天大学微电子学院考验。2014年获青岛大学微电子学专科学士学位，同庚干涉北京航空航天大学电子信息工程学院攻读博士学位。2015-2019年同期在中国科学院微电子谈论所先导工艺研发中心计划培养，2019年获北京航空航天大学微电子学与固体电子专科博士学位，随后在北京航空航天大学微电子学院任教。
主要谈论标的：STT/SOT-MRAM工艺谈论；自旋电子器件瞎想、制备及测试表征；“存算一体”时刻谈论。
2.科研名目
科研劳动：
1.北航青岛谈论院微电子分院院长助理摊派8英寸自旋芯片后说念工艺平台，平台已建成700多平米超净间、竖立总值超1亿，可劳动8英寸自旋芯片（磁存储器、磁传感器、自旋电子学器件）研发。
日本人妖科研名目：
1.基于磁纯碎结的概率诡计器件谈论-后生科学基金名目(在研)-主抓
2.新式自旋轨说念矩材料与高性能存内诡计器件-科技部要点研发盘算（在研）-中枢主干
3.先进磁存储器件制备及可靠性测试步伐谈论-智芯微电子科技有限公司科研名目（在研）-主抓
3.科研后果
W. Cai， M. Wang， K. Cao*， H. Yang， S. Peng， H. Li and W. Zhao*， Stateful implication logic based on perpendicular magnetic tunnel junctions. Sci. China Inf. Sci.， 2022， 65， 1–7.
Z. Guo， J. Yin， Y. Bai， D. Zhu， K. Shi， G. Wang， K. Cao* and W. Zhao*， Spintronics for Energy- Efficient Computing: An Overview and Outlook. Proc. IEEE， 2021， 109， 1398–1417.
Y. Wang， D. Zhao， Y. Chen， Z. Fu， H. Zhang， Z. Zhou， Y. Wan， C. Pan， F. Liu， Y. Yuan and K. Cao*， Fabrication and Reliability Analysis of Nanoscale Magnetic Tunnel Junctions. Spin， 2021， 11， 1–6.
D. Zhu， Z. Guo， A. Du， D. Xiong， R. Xiao， W. Cai， K. Shi， S. Peng， K. Cao， S. Lu， D. Zhu， G. Wang， H. Liu， Q. Leng and W. Zhao， First demonstration of three terminal MRAM devices with immunity to magnetic fields and 10 ns field free switching by electrical manipulation of exchange bias. Int. Electron Devices Meet.， 2021， 17.5.1-17.5.4.
W. Cai， K. Shi， Y. Zhuo， D. Zhu， Y. Huang， J. Yin， K. Cao， Z. Wang， Z. Guo， Z. Wang， G. Wang and W. Zhao*， Sub-ns Field-Free Switching in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions by the Interplay of Spin Transfer and Orbit Torques. IEEE Electron Device Lett.， 2021， 42， 704–707.
K. Shi， W. Cai， Y. Zhuo， D. Zhu， Y. Huang， J. Yin， K. Cao， Z. Wang， Z. Guo， Z. Wanga， G. Wangb and W. Zhao， Experimental Demonstration of NAND-like spin-torque Memory Unit. IEEE Electron Device Lett.， 2021， 42， 513–516.
R. Chen， X. Wang， H. Cheng， K.-J. Lee， D. Xiong， J.-Y. Kim， S. Li， H. Yang， H. Zhang， K. Cao， M. Kläui， S. Peng， X. Zhang and W. Zhao*， Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures. Cell Reports Phys. Sci.， 2021， 2， 1–18.
J. Wei， B. Fang， W. Wu， K. Cao*， H. H. Chen， Y. Zhang， Z. Zeng， H. Wu， M. Bai and W. Zhao， Amplitude and frequency modulation based on memristor-controlled spin nano-oscillators. Nanotechnology， 2020， 31， 1–7.
K. Zhang， K. Cao， Y. Zhang， Z. Huang， W. Cai， J. Wang， J. Nan， G. Wang， Z. Zheng， L. Chen， Z. Zhang， Y. Zhang， S. Yan and W. Zhao， Rectified Tunnel Magnetoresistance Device with High On/Off Ratio for In-Memory Computing. IEEE Electron Device Lett.， 2020， 41， 928–931.
K. Cao， H. Cui， Y. Zhang， H. Xiong， J. Wei， L. Wang， W. Cai， Y. Liu， P. Liu， X. He， J. Li， G. Bai， J. Yu， J. Han， J. Gao， Q. Jiang， Y. Hu， L. Li， B. Tang， Y. Zhang， P. Zhang， Q. Zhang， S. Liu， Y. Lu， T. Yang， J. Li， H. H. Radamson， C. Zhao and W. Zhao， Novel metallization processes for sub-100 nm magnetic tunnel junction devices. Microelectron. Eng.， 2019， 209， 6–9.
J. Wei， K. Cao， H. Cui， K. Shi， W. Cai， Y. Jing， C. Zhao and W. Zhao， All Perpendicular Spin Nano-oscillators with Composite Free Layer. SPIN， 2019， 9， 1940010-4
3.素养名目
1.主讲本科生中枢专科课《集成电路工艺旨趣》
2.参与培植本科生通识课《集成电路导论》
